半导体的电导率取决于哪些因素

半导体的电导率受材料纯度影响极大。硅晶圆中每立方厘米含10个杂质原子时，电导率会提高1000倍。温度升高10摄氏度，电导率增加2倍。掺杂磷或硼元素能显著改变导电性能，磷提供额外电子，硼创造空穴。晶格结构完整性也很关键，晶体缺陷会阻碍电子流动。材料厚度同样重要，1微米厚的硅片导电能力是10微米厚的10倍。

半导体电导率还与外加电场强度直接相关。电压增加1伏特，电流密度提高3倍。光照条件下，光子能量超过带隙时会产生电子-空穴对，使电导率翻倍。材料能带结构决定导电难易，锗的带隙0.67电子伏特，比硅的1.12电子伏特更容易导电。晶向不同，电子迁移率差异可达20%，沿(100)晶向的硅比(111)晶向导电性能更好。