pn结击穿分哪三种击穿

PN结击穿主要分为三种类型：齐纳击穿、雪崩击穿和热电击穿。齐纳击穿发生在强电场下，直接破坏共价键，常见于轻掺杂PN结，电压通常低于5V。雪崩击穿则是载流子在高电场下获得足够能量，碰撞产生新电子-空穴对，形成连锁反应，多见于重掺杂结构，电压高于6V。热电击穿由PN结过热引起，漏电流增大导致温度上升，最终形成正反馈循环，破坏结区结构。

这三种击穿机制在实际器件中有不同应用场景。齐纳击穿被稳压二极管利用，提供精确电压参考。雪崩击穿用于高压器件设计，能承受更大反向电压。热电击穿则是需要避免的失效模式，通过散热设计和工作点控制来预防。工程师根据具体需求选择合适掺杂浓度和结构，控制击穿电压在3V到2000V范围内，满足不同电路应用要求。