时间:09-16人气:28作者:玉笙寒
砷化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体,由镓和砷元素按1:1比例结合而成。这种晶体结构属于闪锌矿型,与硅的金刚石结构不同。砷化镓晶体在电子器件中广泛应用,如高速集成电路、微波器件和光电设备。它的电子迁移率是硅的5倍以上,能工作在更高温度环境。砷化镓还具备直接带隙特性,发光效率高,常用于制造激光二极管和太阳能电池。
砷化镓晶体制备需要精确控制温度和压力条件,一般采用液封直拉法或水平布里奇曼法生长。这种晶体硬度仅次于金刚石和碳化硅,莫氏硬度达到5-6。砷化镓器件抗辐射能力强,在航天电子领域有不可替代的作用。单晶砷化镓基底上可外延生长多层结构,用于制造高性能射频芯片。全球每年生产数百吨砷化镓晶圆,价值超过10亿美元,是半导体工业的重要材料。
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