时间:09-18人气:24作者:大冰块
第三代半导体材料如氮化镓和碳化硅,确实可以用于制造CPU的核心组件。这些材料拥有电子迁移率高、耐高温特性强的优势,英特尔已经展示了基于氮化镓的晶体管原型,运行速度达到传统硅基芯片的2倍。碳化硅材料也被用于高端处理器的散热系统,能将芯片工作温度控制在70度以下,比传统硅基方案降低15度。这类半导体能在800度高温下稳定工作,远超硅基材料的150度极限。
第三代半导体还能构建CPU的供电模块和射频部分。氮化镓功率器件在手机快充芯片中应用广泛,将充电效率提升至90以上。碳化硅材料制造的MOSFET在服务器电源中表现优异,转换效率达到98,损耗减少40%。苹果MacBook Pro已采用这类半导体作为电源管理芯片,使电池续航时间延长2小时。IBM也在研发基于氮化镓的处理器互连技术,数据传输速度可达每秒1万亿比特。
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