igbt由哪两种器件构成

IGBT由MOSFET和BJT两种器件构成。MOSFET提供高输入阻抗和快速开关特性，BJT则负责处理大电流。这种结合让IGBT兼具两种器件的优点，MOSFET的栅极控制简单，BJT的导通压降低。实际应用中，IGBT在变频器、电机驱动和电力系统中广泛使用，功率范围从几百瓦到几兆瓦不等。这种结构使IGBT成为现代电力电子设备的核心元件。

IGBT的结构可看作是MOSFET驱动的达林顿管。MOSFET部分控制器件的开关状态，BJT部分负责电流传导。这种设计使IGBT在高压大电流应用中表现出色，开关频率可达几千赫兹。工业设备如电焊机、UPS电源和电动汽车逆变器都采用IGBT作为功率开关。IGBT的出现解决了传统功率器件在效率和开关速度之间的矛盾，推动了电力电子技术的发展。