内存时序调哪几个数据

内存时序调优主要关注CL值、tRCD、tRP和tRAS这四个核心参数。CL值表示CAS延迟，数值越小响应越快；tRCD是行地址到列地址的延迟，通常设为与CL相等；tRP是行预充电时间，一般与CL保持一致；tRAS是行活动时间，建议设为CL+tRCD的2倍。这些参数共同决定内存响应速度，调整时需主板支持且逐步测试稳定性。

实际调优还需考虑内存颗粒特性和主板供电能力。高端内存颗粒能承受更严格的时序设置，而低端颗粒可能需要宽松些。主板BIOS中的XMP/DOCP预设提供了基础优化方案，手动调整时建议从XMP参数开始微调。电压设置也很关键，适当提升电压可帮助内存达到更低的时序，但超过1.5V会加速颗粒老化。测试软件如MemTest86能验证调整后的稳定性。