载流子浓度随时间变化的因素

载流子浓度随时间变化受多种因素影响。温度升高会加速载流子产生，半导体中每增加10℃，载流子数量可上升约15%。光照强度增强也会显著增加载流子浓度，光子能量超过半导体带隙时，电子从价带跃迁到导带。电场施加后，载流子迁移率提高，浓度分布随时间重新调整。材料缺陷处存在陷阱态，载流子被捕获后释放需要特定时间，导致浓度波动。掺杂浓度直接决定初始载流子数量，高掺杂材料中浓度变化幅度相对较小。

载流子寿命是关键时间因素，硅材料中电子寿命约1毫秒，砷化镓约0.1毫秒。复合机制包括辐射复合、俄歇复合和表面复合，每种复合速率不同。器件尺寸变化会影响表面与体积比例，纳米结构中表面复合占主导。材料纯度提高可减少杂质散射，延长载流子存活时间。氧化层中的固定电荷会在界面处形成电场，改变附近载流子分布。应力作用下，晶格变形能带结构变化，间接影响载流子浓度随时间的演变规律。