中芯国际到几纳米了

中芯国际已经量产14纳米工艺，并在7纳米技术上取得突破。该公司7纳米芯片采用FinFET晶体管结构，包含约100亿个晶体管，每平方毫米可容纳9000万个晶体管。中芯国际的7纳米工艺良率达到行业可接受水平，性能比14纳米提升40%，功耗降低60%。该工艺已用于智能手机处理器、人工智能芯片等领域，月产能达到2万片晶圆。

中芯国际正在研发5纳米工艺，计划2024年进入风险试产阶段。5纳米技术将采用GAA晶体管结构，晶体管密度比7纳米提升80%，性能提升20%，功耗降低30%。该工艺需要极紫外光刻机(EUV)，但受限于出口管制，中芯国际采用多重曝光技术替代。日本、欧洲的半导体设备制造商已开始向中芯国际供应5纳米工艺所需的关键材料与设备，支持其技术突破。