时间:09-16人气:24作者:销售我的情
碳化硅由硅和碳两种元素通过高温反应合成,常见制备方法包括碳热还原法和化学气相沉积法。工业生产中,石英砂与焦炭混合后在电弧炉内加热至2500°C,形成α-SiC晶体。这种材料硬度达9.5莫氏,仅次于金刚石,熔点高达2730°C。碳化硅陶瓷可用于制造高温窑具、火箭喷嘴和汽车刹车盘,展现出优异的耐磨性和热稳定性。
碳化硅单晶通过物理气相传输法生长,原料为高纯度硅粉和碳粉。这种半导体材料禁带宽度达3.26电子伏特,击穿场强度是硅的10倍。5G基站、电动汽车逆变器和高功率电子设备广泛应用碳化SiC器件。一家日本公司已开发出碳化SiC基太阳能电池,转换效率突破28%。碳化SiC纤维增强复合材料用于制造飞机发动机叶片,减重30%同时提升耐高温性能。
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