载流子的多少受哪些因素的影响

载流子数量受材料纯度直接影响，高纯度材料中杂质少，自由电子和空穴数目也少。温度升高会显著增加载流子数量，半导体在室温下每升高10度，载流子浓度大约增加一倍。光照强度也是关键因素，光子能量足够时会产生电子-空穴对，光照越强，载流子越多。材料本身性质决定载流子类型，N型半导体电子多，P型半导体空穴多。掺杂浓度直接影响载流子数目，掺杂原子越多，多数载流子数目也越多。

电场强度影响载流子运动速度而非数量。材料厚度影响整体载流子总量，越厚的材料含有的载流子总数越多。材料晶格结构完整性影响载流子迁移率，缺陷多的材料载流子运动受阻。压力变化会改变材料能带结构，间接影响载流子数量。磁场存在时，洛伦兹力使载流子运动轨迹弯曲，但不改变其数量。材料表面状态在纳米尺度下会显著影响载流子行为。