二极管的反向击穿电压是多少

二极管的反向击穿电压因类型和制造工艺不同而有所差异。普通硅二极管的反向击穿电压通常在50V到1000V之间。稳压二极管的反向击穿电压设计在特定值，常见的有5.6V、12V、24V等。肖特基二极管的反向击穿电压较低，一般在20V到100V。高压二极管可以达到几千伏，用于电源电路和防雷保护。汽车电子中使用的二极管反向击穿电压通常在45V到200V。不同应用场景需要选择合适反向击穿电压的二极管，确保电路安全稳定运行。

二极管的反向击穿电压还受到温度影响，温度升高时击穿电压会降低约2mV/℃。瞬态电压抑制二极管的反向击穿电压范围从3.3V到600V不等，用于保护电路免受电压尖峰损害。发光二极管的反向击穿电压通常为5V左右，高于此电压会导致永久性损坏。工业控制系统中使用的二极管反向击穿电压多在400V到1200V之间。高频电路中的二极管需要兼顾反向击穿电压和开关速度，反向恢复时间短的二极管反向击穿电压一般在30V到200V。