碳化硅是否导电

碳化硅具备半导体特性，导电能力介于导体与绝缘体之间。纯碳化硅晶体在常温下电阻率约为10^2至10^5欧姆·厘米，温度升高时导电性增强。实际应用中，碳化硅器件掺杂硼或铝元素后，电阻率可降至10^-2欧姆·厘米数量级。碳化硅制成的二极管在5000伏电压下工作，电流密度达到100安培/平方厘米，远超传统硅器件。碳化硅电阻元件能在200℃高温环境中稳定运行，电阻变化率低于5。

碳化硅导电机制涉及电子与空穴双重载流子。碳化硅晶体结构中硅碳键键能高达4.6电子伏特，电子迁移速度是硅的2倍。碳化基功率模块开关频率达100千赫时，能量损耗仅为硅器件的1/3。碳化硅加热片通电后15秒内可从室温升至800℃，热效率达到95。碳化硅涂层电极在电解槽中连续工作10000小时不腐蚀，导电性能保持稳定。