半导体禁带宽度是什么

半导体禁带宽度是材料导电性能的关键参数，代表价带顶到导带底的能量差。硅的禁带宽度约为1.1电子伏特，砷化镓约1.4电子伏特，碳化硅约3.3电子伏特。这个数值决定材料能否导电，以及需要多少能量才能激发电子跨越能隙。禁带宽度大的材料如金刚石(5.5电子伏特)是优良绝缘体，而禁带宽度小的材料如锗(0.7电子伏特)更适合制造电子器件。

禁带宽度直接影响半导体器件的工作温度和效率。氮化镓的禁带宽度约3.4电子伏特，使其能承受更高电压和温度，适合制作高压功率器件。氧化锌的禁带宽度约3.3电子伏特，对紫外线敏感，常用于光电探测器。不同禁带宽度的半导体材料组合，能制造出高效太阳能电池，将更多太阳光谱能量转化为电能。