温度升高二极管的反向饱和电流将

温度升高二极管的反向饱和电流会显著增大。二极管内部载流子热激发随温度升高而增强，导致少数载流子数量增加。硅二极管在室温下反向饱和电流约为纳安级别，温度每升高10度，电流大约翻倍。锗二极管反向饱和电流更大，温度敏感性更高。高温环境下，二极管反向特性明显变差，漏电流增大可能导致电路误动作。电子设备设计时必须考虑温度对二极管参数的影响，采取散热措施确保电路稳定工作。

反向饱和电流增大还会影响二极管的击穿特性。温度升高使二极管雪崩击穿电压降低，齐纳二极管稳压值发生变化。高温环境下，二极管功耗增加，结温进一步上升，形成恶性循环。功率二极管需要特别注意散热设计，避免热失控现象。精密电路中，温度变化引起的反向电流漂移会影响测量精度，因此需要选择温度系数小的器件或进行温度补偿。