不等位电压是怎样形成的

不等位电压形成的主要原因是材料内部电子分布不均。当导体或半导体材料制造过程中存在杂质、晶格缺陷或应力时，电子会向能量较低的区域移动，导致电荷积累。这种电荷分布不均会产生局部电场，形成电位差。金属接触面氧化层厚度不同也会导致电子流动受阻，产生电压差。温度梯度作用下，热端电子获得更多能量向冷端移动，形成热电势。半导体材料中掺杂浓度变化直接影响载流子分布，造成电位不均匀。

材料界面处的功函数差异是另一个关键因素。两种不同材料接触时，电子会从功函数较低的 material 流向较高的 material，直到费米能级对齐。这个过程在界面处形成电偶极层，产生接触电位差。导体弯曲处电荷密度不均匀，凸面电子密度低，凹面电子密度高，导致电位差。电解质溶液中离子浓度梯度形成扩散电位，不同离子迁移速度差异加剧了这种电位不均匀。磁场中运动的导体会产生洛伦兹力分离电荷，形成霍尔电压。