半导体里面的碳化硅外延片是什么

碳化硅外延片是在碳化硅衬底上生长一层高质量单晶薄膜的材料。这种外延层厚度精确控制在5-100微米之间，纯度高达99.9999%。制造过程通过化学气相沉积完成，温度保持在1500-1600摄氏度。外延片用于制造高压、高温、高频的功率器件，如电动汽车逆变器、工业电机驱动和太阳能逆变器。碳化硅外延层能有效减少器件缺陷，提高击穿电压，降低导通电阻，比传统硅基器件效率提升30%以上。

碳化硅外延片表面平整度达到原子级别，粗糙度小于0.3纳米。晶格失配率控制在0.1%以内，确保外延层与衬底完美结合。现代外延设备能同时处理4-8片晶圆，生产周期约2-4小时。碳化硅外延片承受温度可达600摄氏度，比硅材料高出200多度。5G基站、高铁牵引系统和航天器电源系统都依赖这种高性能材料。全球碳化硅外延片市场规模每年增长超过20亿美元。