中国光刻机技术达到了多少纳米

中国光刻机技术已实现28纳米工艺量产，上海微电子装备的SSA800/10W光刻机用于成熟制程芯片制造。中芯国际北京工厂采用国产光刻机生产28纳米芯片，华为海思设计的麒麟710A芯片使用这一工艺。合肥长鑫存储的19纳米DRAM芯片也采用国产光刻设备。长江存储的Xtacking架构3D NAND闪存生产中，国产光刻机参与关键步骤。

中国光刻机技术在光源系统取得突破，上海光机所研发的193纳米深紫外光源达到量产标准。华卓精科的光刻机双工件台定位精度达到8纳米，满足先进制程需求。苏州科益的浸没式光刻技术使分辨率提升至13纳米。浙江大学与中微半导体合作开发的等离子体刻蚀设备精度达5纳米，为7纳米以下工艺奠定基础。