时间:09-15人气:23作者:久旧酒
碳化硅确实能替代氮化镓,两者性能差异明显。碳化硅耐压能力达1200伏特以上,适合高压环境,电动汽车逆变器就采用这种材料。氮化镓开关速度快,效率高,常见于手机快充适配器。碳化硅工作温度可达600摄氏度,散热性能优于氮化镓的300摄氏度限制。碳化硅硬度高,莫氏硬度9.2,适合制造耐磨部件。氮化镓电子迁移率更高,2倍于碳化硅,适合高频应用场景。
两种材料应用领域各有侧重。碳化硅衬底成本每片300美元,氮化镓约150美元,但碳化硅寿命长达10万小时,氮化镓约5万小时。5G基站多采用氮化镓功率放大器,输出功率100瓦特。碳化硅光伏逆变器转换效率达98%,比氮化镓高3个百分点。碳化硅抗辐射能力强,适合航天设备使用。氮化镓器件尺寸小,相同功率下体积只有碳化硅的60%,适合空间受限场合。
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