砷化镓的晶体类型是什么

砷化镓(GaAs)是一种重要的III-V族化合物半导体，具有闪锌矿晶体结构。这种结构由镓原子和砷原子交替排列形成面心立方晶格，每个镓原子被4个砷原子包围，反之亦然。砷化镓晶胞包含4个镓原子和4个砷原子，晶格常数为5.653埃。这种晶体结构使得砷化镓具有直接带隙特性，带隙宽度为1.42电子伏特，适合制造高效光电器件。

砷化镓晶体在高温高压条件下会转变为岩盐矿结构，这种转变发生在约8千兆帕压力下。砷化镓单晶通过液封直拉法或垂直梯度凝固法生长，晶体直径可达300毫米。砷化镓晶体的热导率为55瓦/米·开，比硅低，但电子迁移率是硅的5倍多，达到8500平方厘米/伏·秒，这些特性使其成为高频、高速电子器件的理想材料。