pn结反向偏置的电流

PN结反向偏置时，电流极小，主要由少数载流子形成。室温下硅PN结反向电流在纳安级别，锗PN结在微安级别。这个电流被称为反向饱和电流，几乎不随电压变化。温度每升高10度，反向电流约增加一倍。反向击穿电压是关键参数，普通二极管在50-1000伏之间，稳压管则精确控制在5-200伏范围内。反向偏置时，PN结耗尽层变宽，势垒增高，阻碍了多数载流子的运动。

反向偏置下的PN结表现出电容特性，包括势垒电容和扩散电容。势垒电容与偏置电压平方根成反比，在0.1-100皮法范围内。高频电路中，这种电容效应明显影响器件性能。反向漏电流会导致功率损耗，高温环境下更为显著。光电二极管利用反向偏置下的光电流特性，将光信号转换为电信号，响应时间可达纳秒级。反向偏置的PN结还广泛应用于电压参考电路和ESD保护器件中。