mos管三个极的电压大小关系

MOS管的三个极分别是栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。栅极与源极之间的电压VGS控制着MOS管的导通状态，当VGS大于阈值电压时，MOS管开始导通。漏极与源极之间的电压VDS决定了电流的大小，VDS越大，漏极电流ID也越大。在实际应用中，N沟道MOS管的VGS需要为正电压才能导通，而P沟道MOS管则需要负电压。导通后，漏极电压Vd会接近源极电压Vs，形成低阻态。

MOS管的工作状态受三个极电压关系影响。增强型N沟道MOS管导通时，VGS必须大于0V且大于阈值电压，此时VDS必须大于VGS-Vth才能进入饱和区。P沟道MOS管则相反，VGS需要小于0V且小于阈值电压。开关电路中，MOS管导通时VGS为10-15V，关断时VGS为0V。功率MOS管导通后，VDS可降至0.1-0.3V之间，大幅降低导通损耗。电路设计时需确保VGS不超过最大额定值，一般为20V，避免器件损坏。