半导体mqw是什么意思

半导体MQW是"多量子阱"的缩写，由多层交替的窄带隙和宽带隙半导体材料构成。这种结构能将电子和空穴限制在极薄的窄带隙层中，形成量子阱。实际应用中，激光器、发光二极管和光电探测器都采用MQW结构来提高性能。GaAs/AlGaAs和InGaAs/InP是常见的MQW材料组合，量子阱厚度通常在几纳米到几十纳米之间。

MQW结构通过量子限制效应改变了半导体的光学和电学特性。电子在量子阱中的能量呈现离散能级，而非连续能带。这种特性使MQW器件具有更高的发光效率和更窄的光谱线宽。现代通信系统中，MQW调制器和光开关利用了这一原理，实现了高速光信号处理。量子阱数量一般为5到50个，多层结构的设计需要精确控制每层厚度和界面质量。