光刻机可以达到多少纳米

光刻机技术已经突破3纳米制程。荷兰ASML的EUV系统能实现5纳米以下精度，台积电3纳米工艺采用多重曝光技术。日本尼康的NSR-S621D达到7纳米水平，中国的SMEE光刻机已量产90纳米设备。Intel使用EUV技术生产4纳米芯片，三星的3纳米工艺采用GAA晶体管结构。这些设备通过极紫外光源和精密光学系统实现纳米级精度。

光刻机精度受光源波长限制，193纳米光源多次曝光可达到7纳米。EUV使用13.5纳米光源直接实现7纳米以下制程。台积电5纳米工艺使用四重曝光技术，3纳米采用六重曝光。ASML的High-NA EUV系统支持2纳米制程，预计2024年交付。光刻机精度还取决于工件台精度和激光控制技术，现代设备定位精度达到皮米级。