光伏硅晶片制作方法

光伏硅晶片制作从高纯度硅料开始，通过直拉法或区熔法制成单晶硅锭。硅料在石英坩埚中加热至1410℃以上熔化，籽晶浸入熔体缓慢旋转提拉，形成圆柱形单晶硅锭。锭体经过线切割机处理，金刚石线以每秒15-20米速度切割，厚度180-200微米的薄片。切割后的硅片经过碱液腐蚀去除损伤层，再用酸液抛光，表面粗糙度控制在0.5纳米以下，确保光电转换效率。

硅晶片表面需制绒结构增加光吸收，通过酸性或碱性溶液蚀刻形成金字塔状纹理。随后进行磷扩散制结，炉温850℃下形成PN结。背面镀铝层作为背电场，正面印刷银电极，丝网印刷线宽控制在50微米。最后通过烧结炉700℃高温处理，使电极与硅片形成欧姆接触。成品硅片转换效率可达21-23%，每片面积156毫米×156毫米，厚度180微米，满足光伏组件使用要求。