时间:09-18人气:11作者:梦梦华
ALD是原子层沉积技术制备的薄膜材料,通过交替引入前驱体气体在基底表面形成单原子层。这种材料厚度控制精确,可达纳米级别,广泛应用于半导体、光学涂层和太阳能电池领域。ALD薄膜具有优异的均匀性和致密性,即使在复杂三维结构上也能形成完美覆盖层。ALD工艺温度范围广,从室温到500℃都能进行,适合多种基底材料。
ALD材料具有出色的阻隔性能,水蒸气透过率极低,常用于食品包装和电子器件保护层。ALD制备的氧化铝、二氧化钛和氧化铪等薄膜具有优异的介电性能和耐腐蚀性。ALD技术还能制备纳米多孔材料,比表面积可达每克数百平方米,适用于催化和能源存储领域。ALD工艺重复性好,批次间差异小于1纳米,确保产品质量一致性。
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