载流子浓度受哪些因素影响

载流子浓度受温度影响显著。半导体材料随温度升高，本征激发增强，电子-空穴对数量增加。掺杂浓度也是关键因素，n型半导体中施主杂质提供电子，p型半导体中受主杂质提供空穴。材料纯度直接影响载流子数量，杂质原子会改变能带结构。晶格缺陷如位错和空位也会捕获或释放载流子，影响整体浓度。外部电场作用下，载流子会发生漂移，改变局部浓度分布。

材料带隙大小决定载流子产生的难易程度。窄带隙材料如锗在室温下已产生大量载流子，而宽带隙材料如金刚石需要更高温度。光照强度直接影响光生载流子数量，强光照射下光电流明显增大。压力改变晶格常数，影响能带结构，进而改变载流子浓度。磁场作用下，载流子受到洛伦兹力影响，运动轨迹改变，浓度分布也会发生变化。