什么是巨磁电阻效应的两电流模型

巨磁电阻效应的两电流模型解释了多层膜中电阻变化现象。模型假设电流通过两个平行通道：一个穿过磁性层间的界面，另一个穿过非磁性层。当磁层平行排列时，界面通道电阻低，总电阻小；当磁层反平行排列时，界面通道电阻高，总电阻大。这种模型能准确预测GMR值随层厚变化的规律，已应用于硬盘读头传感器，使存储密度提高10倍以上。

两电流模型还考虑了自旋相关散射的影响。电子在磁性层中分为自旋向上和自旋向下两种状态，不同磁层排列导致散射概率差异。IBM实验室的实验证实，Co/Cu多层膜的GMR值可达8%，远高于单层材料。这一模型为磁电子学器件设计提供了理论基础，推动了MRAM和磁传感器技术的发展，解决了传统电阻元件的灵敏度不足问题。