sic是什么晶体

SIC是碳化硅晶体，一种由硅和碳元素以1:1比例结合形成的化合物半导体材料。这种晶体硬度高达9.5莫氏硬度，仅次于钻石，耐高温可达1600摄氏度，广泛应用于高压电力器件和LED照明领域。碳化硅晶体结构分为六方晶系的4H-SIC和3C-SIC，以及菱方晶系的6H-SIC，其中4H-SIC因电子迁移率高，成为制造大功率器件的首选材料。

碳化硅晶体具有优异的物理特性，热导率是铜的3倍，热膨胀系数仅为硅的40%，适合制作高温环境下工作的电子元件。这种材料在航空航天领域用于制造耐高温传感器，在新能源汽车中用于逆变器模块，能显著提高能量转换效率。碳化硅晶体制备难度大，需要2000摄氏度以上的高温环境生长单晶，一片6英寸碳化硅晶圆需要7天时间完成生产，成本是传统硅晶圆的5倍以上。