半导体的电导率一般是多少正常

半导体的电导率范围很广，一般在10^-8到10^4西门子/米之间。纯净硅的电导率约为4.4×10^-4西门子/米，掺杂后可提高至10^2西门子/米。砷化镓的电导率约为10^-3西门子/米，氧化锌作为透明导电材料可达10^4西门子/米。锗的电导率约为2.2西门子/米，而碳化硅在高温环境下保持约1西门子/米的稳定电导率。这些数值会随温度、掺杂浓度和晶体结构变化而改变。

半导体电导率受多种因素影响，室温下硅的电导率随掺杂浓度增加可提高6个数量级。磷掺杂浓度达到10^16原子/立方厘米时，电导率提升至10西门子/米。硼掺杂浓度在10^15原子/立方厘米时，电导率约为0.1西门子/米。锗硅合金在30%锗含量时电导率达到峰值，约50西门子/米。多晶硅薄膜的电导率通常在1到100西门子/米之间，晶界散射会降低其导电性能。