半导体掺杂后导电能力增强吗

半导体掺杂后导电能力确实显著增强。纯净半导体如硅在室温下导电能力极低，每立方厘米只有约10^10个自由载流子。通过掺入少量磷或砷等五价元素，可大幅增加自由电子数量，达到10^15个以上。掺硼等三价元素则产生大量空穴，同样提高导电性。掺杂浓度仅为百万分之一时，导电能力就能提高数千倍。这种导电性提升是半导体器件工作的基础，使晶体管、二极管等电子元件能够正常运作。

掺杂对半导体导电性的影响还体现在电阻率变化上。纯硅电阻率约230,000欧姆·厘米，而掺磷浓度达到10^16原子/立方厘米时，电阻率降至约0.001欧姆·厘米。掺杂浓度与导电性呈近似线性关系，可通过精确控制掺杂量调节材料导电性能。这种可控的导电性变化使半导体能够制造出从高阻值电阻到超导体的各种电子元件，满足不同电路设计需求。