晶体管的伏安特性是什么

晶体管的伏安特性描述了电流与电压之间的关系。NPN晶体管在发射结正偏、集电结反偏时，基极电流微小变化可引起集电极电流显著变化，放大倍数可达100-300倍。PNP晶体管则相反，电流方向相反但特性相似。MOSFET的转移特性显示栅极电压控制漏极电流，开启电压一般在1-5伏之间，导通电阻可达毫欧级别。

晶体管工作在不同区域呈现不同特性。放大区电流放大作用明显，饱和区压降很低约0.2伏，截止区电流接近零。温度升高时，晶体管电流增益增加约10%/℃，但漏电流增大更快。高频应用中，晶体管特征频率可达数百兆赫，反映其放大能力随频率下降的特性。不同型号晶体管参数差异显著，需根据具体电路选择合适器件。