内存时序改哪几个数据

内存时序调整主要关注CL值、tRCD、tRP和tRAS四个参数。CL值表示CAS延迟，数值越低性能越好；tRCD是行到列延迟，影响数据读取速度；tRP是行预充电时间，决定内存切换速度；tRAS是行活动时间，控制内存保持活跃状态的最短时间。调整时建议从内存规格书推荐值开始，每次只改一个参数，逐步优化。

内存超频时，时序参数之间存在相互影响。降低CL值会增加tRCD和tRP的稳定性需求；tRAS设置过低会导致系统不稳定；tRC值等于tRCD+tRP+tRAS，需要保持平衡。测试中，将时序从16-18-18-38优化至14-16-16-32可提升约10%性能，但需注意电压配合。调整时序后需进行压力测试，确保系统稳定运行。