pn结的厚度是多少

pn结的厚度一般在几微米到几十微米之间，具体数值取决于掺杂浓度和制造工艺。高掺杂浓度形成的pn结较薄，约0.1-1微米；低掺杂浓度形成的pn结较厚，可达10-50微米。现代集成电路中的pn结通常控制在0.5-5微米范围内，以确保良好的电学特性。不同材料系统如硅、砷化镓的pn结厚度也有差异，硅基pn结常见厚度为1-3微米。

pn结的厚度直接影响器件性能，薄结电容小、响应速度快，适合高频应用；厚结击穿电压高、耐压能力强，适用于功率器件。太阳能电池中的pn结厚度约200-300微米，以充分吸收阳光；发光二极管的pn结则控制在50-200纳米，提高光效。传感器应用中的pn结厚度根据检测需求调整，压力传感器约10-20微米，光敏传感器可达100微米以上。