半导体多少纳米指的是什么工艺

半导体多少纳米指的是芯片制造中最关键的光刻工艺精度。7纳米工艺意味着晶体管栅极长度约为7纳米，台积电5纳米工艺中晶体管间距为54纳米。英特尔10纳米工艺实际相当于台积电7纳米水平，三星3纳米工艺采用GAA晶体管结构。这些数字越小，晶体管密度越高，性能越强。台积电4纳米工艺晶体管密度比7纳米高约87%，功耗降低约30%。苹果A15芯片采用5纳米工艺，集成150亿个晶体管。

纳米数值还代表芯片上晶体管间的最小距离。中芯国际14纳米工艺中，最小金属间距为90纳米。长江存储NAND闪存64层堆叠技术中，单元间距为42纳米。联电28纳米HKMG工艺，栅极长度为25纳米。这些参数直接影响芯片功耗、性能和成本。AMD Ryzen 5000系列采用7纳米工艺，晶体管密度提升达2倍。英伟达A100 GPU采用7纳米工艺，晶体管数量达540亿个。