砷化镓晶体的特性是什么

砷化镓晶体具有出色的电子迁移率，达到8500平方厘米/伏特·秒，比硅高出5倍多。这种材料在高温环境下表现稳定，工作温度可达300摄氏度而不影响性能。砷化镓晶体还具备直接带隙特性，发光效率高，广泛用于制造高效太阳能电池和激光器。手机基站中的功率放大器多采用砷化镓技术，能效提升30%以上。半导体器件使用砷化镓材料后，开关速度可提高10倍，适合高频应用场景。

砷化镓晶体硬度达到莫氏硬度5.5，抗辐射能力强，太空电子设备常用它制造关键部件。这种材料的热导率为55瓦/米·开尔文，散热性能优于多数半导体。砷化镓集成电路的功耗比硅基芯片低40%，延长了移动设备电池寿命。军事雷达系统采用砷化镓晶体后，探测距离增加25%，抗干扰能力显著增强。光纤通信中的激光发射模块也依赖砷化镓材料，信号传输损耗降至0.2分贝/公里以下。