pn结中掺杂浓度对导通电压的影响

PN结中掺杂浓度直接影响导通电压大小。高掺杂浓度会降低耗尽区宽度，减少势垒高度，导致导通电压降低。硅材料PN结在掺杂浓度达到10^18/cm³时，导通电压约0.6-0.7V；而砷化镓材料在相同浓度下导通电压约1.2V。掺杂浓度每增加10倍，导通电压下降约0.1V。杂质类型也影响导通电压，P型掺杂硼元素时导通电压比磷元素掺杂时低约0.05V。

温度变化会改变掺杂浓度对导通电压的影响程度。室温下，掺杂浓度10^15/cm³的硅PN结导通电压约为0.7V，当温度升至100℃时，导通电压降至约0.5V。不同掺杂浓度的PN结对温度敏感度不同，高掺杂浓度器件温度系数约为-2mV/℃，低掺杂浓度器件约为-2.5mV/℃。杂质分布不均匀会导致局部导通电压差异，影响器件整体性能。