载流子浓度n一般为多少

载流子浓度n在不同材料中差异显著。金属导体中n值很高，铜约为8.5×10²⁸/m³，铝约为6.0×10²⁸/m³。半导体材料n值变化大，纯硅在室温下约1.5×10¹⁶/m³，掺杂后可达10²²/m³。绝缘体如二氧化硅n值极低，约10¹⁰/m³。石墨烯作为特殊材料，n值可达10¹²/m³至10¹³/m³范围。温度变化也会影响n值，金属中n基本不变，半导体中n随温度升高呈指数增长。

实际应用中，n值直接影响材料导电性能。二极管pn结中，n区掺杂浓度约10²³/m³，p区约10²²/m³。太阳能电池硅片n值控制在10²²/m³左右。集成电路中，晶体沟道区n值约10¹⁷/m³。超导材料在临界温度以下，电子形成库伯对，n值约为正常状态的一半。高纯度砷化镓在低温下n值可降至10¹²/m³以下，表现出优异的电学特性。