位错是怎样形成的

位错形成于晶体材料受到外力作用时，原子排列发生局部扭曲。金属在轧制过程中，晶粒内部滑移面上的原子被迫移动，形成线缺陷。高温环境下，原子热运动加剧，更容易产生位错。陶瓷材料烧结时，不同晶粒间的晶界处也会形成位错。电子显微镜观察显示，这些缺陷长度可达数百纳米，宽度仅为几个原子直径。

位错还源于晶体生长过程中的不完美。溶液法生长晶体时，杂质原子会干扰正常排列，产生位错。材料冷却过程中，不同部位收缩差异也会导致位错形成。位错密度可高达每平方厘米10^8个，严重影响材料力学性能。晶体受到辐射照射时，原子被击出原有位置，同样会形成位错结构。