内存卡多少纳米

内存卡制程工艺目前主流是32纳米和16纳米。高端产品采用12纳米工艺，如三星EVO Plus系列。入门级产品多使用64纳米工艺，如SanDisk Ultra系列。制程越小，芯片功耗越低，速度越快。32纳米工艺的读写速度可达100MB/s，16纳米可达150MB/s。12纳米工艺的Pro系列可达200MB/s以上。不同品牌和型号会有差异，消费者应根据需求选择合适工艺的内存卡。

内存卡纳米数影响耐用性和稳定性。64纳米工艺的卡在高温环境下容易出错，32纳米工艺的卡可在-25℃至85℃环境中稳定工作。16纳米工艺的卡抗干扰能力强，适合无人机等设备使用。12纳米工艺的卡平均擦写次数可达10000次，而64纳米只有3000次。制程越小，卡体积越小，同样容量下可以做得更薄。市面上128GB以上的卡多采用16纳米或更小工艺，保证了性能和可靠性。