半导体的禁带宽度大约位于

半导体的禁带宽度通常在0.1到3电子伏特之间。硅的禁带宽度约为1.1电子伏特，锗约为0.67电子伏特，砷化镓约为1.43电子伏特。碳化硅的禁带宽度较大，约为3.26电子伏特。氮化镓的禁带宽度约为3.4电子伏特。氧化锌的禁带宽度约为3.3电子伏特。这些数值决定了半导体材料在不同温度和电压下的导电性能，直接影响电子器件的工作效率和应用范围。

禁带宽度的大小直接影响半导体材料的光电特性。禁带宽度较小的材料如硫化铅，约为0.37电子伏特，适合红外探测应用。硒化镉的禁带宽度约为1.74电子伏特，常用于太阳能电池。磷化铟的禁带宽度约为1.34电子伏特，适用于高速电子器件。氮化铝的禁带宽度约为6.2电子伏特，是宽禁带半导体材料的代表。不同禁带宽度的半导体材料可以满足从低功率电子器件到高功率、高温应用的各种需求。