硫化锑是p型还是n型的

硫化锑(Sb₂S₃)是一种典型的p型半导体材料。这种材料中的锑原子比硫原子少，导致晶格中产生空穴。空穴作为正电荷载流子，使硫化锑表现出p型导电特性。硫化锑薄膜太阳能电池中，空穴传输层就是利用这一特性。实验数据显示，硫化锑的电导率随温度升高而增加，这是p型半导体的典型特征。硫化锑的能带结构显示价带顶比导带底更接近费米能级，进一步证实其p型性质。

硫化锑的光电性能也体现了p型半导体的特点。光吸收实验表明，硫化锑在可见光区有强吸收，这与p型材料的电子结构一致。硫化锑基器件中，空穴迁移率达到10-4 cm²/V·s数量级，电子迁移率则低一个数量级。霍尔测量直接证实了硫化锑中空穴是主要载流子。硫化锑与n型材料形成的异质结中，内建电场方向也从n区指向p区，这是p型半导体的重要证据。